在半導(dǎo)體研發(fā)實驗室,一顆芯片的良率可能被0.1℃的溫差改寫——當(dāng)晶圓在光刻環(huán)節(jié)遭遇微小溫度波動,電路圖案的精度偏差可能超過0.1微米,直接導(dǎo)致整批芯片報廢;在光學(xué)電鏡測試間,1%的濕度偏差足以讓精密觀測數(shù)據(jù)失真,原本清晰的納米級物質(zhì)結(jié)構(gòu)影像,可能因空氣中多余水汽的折射變得模糊,延誤科研團隊的關(guān)鍵發(fā)現(xiàn);在衛(wèi)星導(dǎo)彈渦扇加工車間,環(huán)境的微小波動甚至可能影響關(guān)鍵部件的運行精度——渦扇葉片的弧度誤差若超過0.05毫米,將導(dǎo)致導(dǎo)彈飛行軌跡偏離預(yù)設(shè)航道,后果不堪設(shè)想。對于高端科研與精密制造領(lǐng)域而言,環(huán)境控制早已不是“舒適需求”,而是決定技術(shù)突破與產(chǎn)品品質(zhì)的核心保障要素。

長期以來,傳統(tǒng)潔凈室系統(tǒng)始終受限于技術(shù)瓶頸:溫度波動普遍在±1℃以上,濕度偏差更是高達(dá)±5% RH,面對半導(dǎo)體研發(fā)、物理測試、精密光學(xué)加工等場景的高精度要求,往往難以適配。半導(dǎo)體企業(yè)反饋使用傳統(tǒng)系統(tǒng)時,每月因環(huán)境波動導(dǎo)致的芯片不良率超過3%,而物理實驗室也提及,因濕度穩(wěn)定性不足,多次光學(xué)實驗數(shù)據(jù)無法復(fù)現(xiàn),對科研進度產(chǎn)生顯著影響。這些技術(shù)痛點,已成為制約行業(yè)創(chuàng)新效率與產(chǎn)能提升的隱性障礙。

江蘇克力空調(diào)推出的超高精密恒溫恒濕控制系統(tǒng),憑借行業(yè)領(lǐng)先的±0.01℃溫度控制精度(在特定場景下,溫控精度可達(dá)±0.001℃)、±1% RH 濕度穩(wěn)定度,突破傳統(tǒng)技術(shù)局限,為尖端領(lǐng)域構(gòu)建 “零波動” 的環(huán)境控制屏障。該技術(shù)突破的背后,是克力在核心技術(shù)領(lǐng)域的長期研發(fā)積累:其自主研發(fā)的低露點技術(shù),使直接蒸發(fā)系統(tǒng)最低露點可達(dá)-15℃,在特定工況下可替代傳統(tǒng)轉(zhuǎn)輪除濕方案,規(guī)避轉(zhuǎn)輪吸附飽和后出現(xiàn)的濕度反彈問題。

克力高精度控制技術(shù)采用雙閉環(huán)PID調(diào)節(jié)算法,搭配自研高精度傳感器與控制器,將溫濕度監(jiān)測頻率提升至每秒10次,一旦監(jiān)測到微小偏差,立即動態(tài)調(diào)節(jié)制冷、制熱、加濕模塊,確保環(huán)境參數(shù)穩(wěn)定維持在設(shè)定范圍;冷凝熱回收技術(shù)實現(xiàn) “節(jié)能與精度” 的協(xié)同優(yōu)化,夏季極限工況下系統(tǒng)節(jié)能率超70%,同時避免蒸發(fā)器結(jié)冰引發(fā)的控制中斷問題,保障設(shè)備全年365天24小時連續(xù)穩(wěn)定運行。

這一技術(shù)成果并非簡單的精度參數(shù)升級,而是對極致工況下環(huán)境控制需求的深度適配。無論是半導(dǎo)體芯片的微米級加工,還是光學(xué)元件的超精密檢測,亦或是衛(wèi)星導(dǎo)彈核心部件的制造裝配,均能在克力構(gòu)建的穩(wěn)定環(huán)境中開展,從源頭降低環(huán)境波動引發(fā)的各類風(fēng)險。

從北京協(xié)和醫(yī)院的手術(shù)室到寧德時代的鋰電池生產(chǎn)車間,從三星西安半導(dǎo)體工廠的光刻車間到京東方研發(fā)中心,再到清華大學(xué)、浙江大學(xué)等高校的尖端實驗室,克力憑借技術(shù)實力成為高端精密環(huán)境控制領(lǐng)域的合作方。

隨著科技向 “微米級”“納米級” 領(lǐng)域突破,對環(huán)境控制精度的要求持續(xù)提升?？肆Τ呔芎銣睾銤窨刂葡到y(tǒng),以±0.01℃的控制精度、三大自研核心技術(shù)的支撐,及多行業(yè)應(yīng)用案例的驗證,為科技創(chuàng)新提供環(huán)境保障。在尖端科技探索進程中,克力通過 “零波動” 的環(huán)境控制方案,助力企業(yè)突破產(chǎn)能瓶頸、科研團隊攻克技術(shù)難題,推動更多高精尖成果從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,為行業(yè)高精度發(fā)展提供技術(shù)支持。